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  • 型号: BCM 856S H6327
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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BCM 856S H6327产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS ARRAY PNP 65V 100MA SOT363两极晶体管 - BJT AF TRANSISTOR

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Infineon Technologies BCM 856S H6327-

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/bcm856s.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011449d262020243&fileId=db3a30431441fb5d011449d4974a0245

产品型号

BCM 856S H6327

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

650mV @ 5mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

200 @ 2mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

PG-SOT363-6

其它名称

BCM 856S H6327DKR

功率-最大值

250mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

Infineon Technologies

增益带宽产品fT

250 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-VSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

2 PNP(双)

最大功率耗散

250 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

200 mA

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

65V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

450

系列

BCM856

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

65 V

集电极—基极电压VCBO

80 V

集电极—射极饱和电压

0.25 V

集电极连续电流

100 mA

零件号别名

BCM856SH6327XTSA1 SP000747592

频率-跃迁

250MHz

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